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黑色氧化鋯半導體陶瓷結構件

?參數? ?規格詳情?
?材質? 釔穩定氧化鋯(3Y/5Y-ZrO?)、黑色導電氧化鋯(碳素/金屬摻雜)
?密度? 6.0-6.2g/cm3
?硬度? 維氏硬度1200-1400HV
?抗彎強度? ≥1000MPa(三點彎曲)
?熱膨脹系數? 10.5×10??/°C(20-400°C,與不銹鋼匹配)
?表面電阻? 103-101?Ω(可定制)
?尺寸范圍? 最大尺寸300×300×150mm,厚度0.2-50mm
?認證標準? SEMI S2/S8、ISO 14644-1 Class 1...

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黑色氧化鋯半導體陶瓷結構件是以納米氧化鋯(ZrO?)為基礎材料,通過摻雜改性、精密加工及表面處理技術制成的高性能功能陶瓷元件。專為半導體制造、顯示面板及光伏設備設計,具有高硬度(≥1200HV)、抗靜電(表面電阻10?-10?Ω)、耐等離子體腐蝕及超低釋氣特性,可替代傳統氧化鋁陶瓷與金屬材料,滿足半導體設備對潔凈度、精度與可靠性的極致要求。

?核心優勢?
? ?導電性可控?:通過碳素/金屬相摻雜,表面電阻10³-10¹?Ω可調,避免靜電吸附微粒。
? ?極致精度?:CNC加工精度±0.002mm,表面粗糙度Ra≤0.05μm,適配納米級工藝。
? ?耐等離子腐蝕?:氟基/氯基等離子體環境下腐蝕率<0.1μm/100h,壽命提升5倍以上。
? ?超高潔凈度?:無金屬離子析出,通過SEMI F47粒子脫落測試(≤5顆/片@0.3μm)。
? ?復雜結構成型?:支持注塑成型/3D打印工藝,實現薄壁(≥0.2mm)、異形及多孔結構。


?技術規格?(可定制)?

?參數? ?規格詳情?
?材質? 釔穩定氧化鋯(3Y/5Y-ZrO?)、黑色導電氧化鋯(碳素/金屬摻雜)
?密度? 6.0-6.2g/cm³
?硬度? 維氏硬度1200-1400HV
?抗彎強度? ≥1000MPa(三點彎曲)
?熱膨脹系數? 10.5×10??/°C(20-400°C,與不銹鋼匹配)
?表面電阻? 10³-10¹?Ω(可定制)
?尺寸范圍? 最大尺寸300×300×150mm,厚度0.2-50mm
?認證標準? SEMI S2/S8、ISO 14644-1 Class 1、RoHS、UL 94 V-0

?應用場景?

  • ?半導體前端制造?:
    • 刻蝕機:腔室內襯、氣體噴嘴、晶圓卡盤
    • 薄膜沉積(PVD/CVD):屏蔽環、基座、加熱器托盤
    • 光刻機:掩膜版支架、對準器陶瓷件
  • ?顯示面板與封裝?:
    • OLED蒸鍍機:遮光板、傳片機械手爪
    • 探針臺:探針卡陶瓷基板、測試插座
    • 先進封裝:TSV硅通孔絕緣環、RDL重布線層支架
  • ?光伏與電子?:
    • 光伏鍍膜設備:導電輥、傳輸導軌
    • 高功率器件:IGBT散熱基板、射頻微波窗口

?為什么選擇我們的黑色氧化鋯結構件??

  1. ?材料創新技術?:
    • 采用反應燒結與HIP(熱等靜壓)工藝,實現99.5%致密度與均勻導電相分布。
    • 表面鍍覆類金剛石(DLC)涂層,摩擦系數降低至0.1,耐磨性提升8倍。
  2. ?全流程品控?:
    • 100%通過氦質譜檢漏(泄漏率<5×10?¹?Pa·m³/s)、X射線雜質檢測(分辨率≤10μm)。
    • 提供SEM/EDS材料分析報告與等離子體腐蝕測試數據。
  3. ?快速響應體系?:
    • 常規件7天交貨,非標件15天交付,緊急訂單72小時加急(需評估)。
  4. ?全球技術支持?:
    • 提供FEA仿真優化、失效分析及設備適配性改造服務。

?技術規格?(可定制)?

?參數? ?規格詳情?
?材質? 釔穩定氧化鋯(3Y/5Y-ZrO?)、黑色導電氧化鋯(碳素/金屬摻雜)
?密度? 6.0-6.2g/cm³
?硬度? 維氏硬度1200-1400HV
?抗彎強度? ≥1000MPa(三點彎曲)
?熱膨脹系數? 10.5×10??/°C(20-400°C,與不銹鋼匹配)
?表面電阻? 10³-10¹?Ω(可定制)
?尺寸范圍? 最大尺寸300×300×150mm,厚度0.2-50mm
?認證標準? SEMI S2/S8、ISO 14644-1 Class 1、RoHS、UL 94 V-0
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